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1. O(g) + 2e → O2(g) △Heg = 603KJ / mole, △Heg का मान धनात्मक होने का कारण है :-

2. वह प्रक्रिया जिसमें उर्जा अवशोषण की आवश्यकता होती है

3. किसी तत्व की द्वितीय इलेक्ट्रॉन बन्धुता होती है :

4. निम्न में कौनसा विन्यास न्यूनतम इलेक्ट्रॉन बन्धुता रखता है।

5. निम्न में से किसकी इलैक्ट्रॉन ग्रहण ऐन्थैल्पी सर्वाधिक ऋणात्मक है तथा किसकी सबसे कम ऋणात्मक है ?

6. निम्न परमाण्वीय स्पीशीज के लिए इलैक्ट्रॉन ग्रहण ऐन्थैल्पी (ऋणात्मक चिन्ह के साथ) का सही क्रम है

7. निम्न में से किस तत्व की विद्युतॠणता भिन्न है :-

8. विद्युत ऋणता का कौनसा क्रम सही है.

9. पॉलिंग का विद्युत ऋणता का मापक्रम इस पर आधारित है

10. N, P, C तथा SI की विद्युतॠणता का सही क्रम है:-

11. सर्वाधिक विद्युतऋणी तत्व के बाह्यतम कोश का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास है :-

12. निम्न तत्वों में विद्युत ऋणता का सही बढ़ता क्रम है।